日前媒体纷纷传言清华研发成功EUV光刻机，这个其实夸大了事实，不过却也确实是EUV光刻机的重大突破，将绕开ASML等西方垄断的EUV光刻技术路线，开辟一条全新的道路。
据了解清华研发成功的并非是EUV光刻机，而是可用于EUV光刻机的光源，这被称为SSMB（稳态微聚束加速器光源），据了解清华大学负责该项技术研发的唐传祥教授也明确指出“SSMB光源的潜在应用之一是作为未来EUV光刻机的光源”。
EUV光刻机是研发5纳米乃至更先进工艺的必需设备，目前台积电、Intel、三星量产的5纳米、3纳米工艺都需要EUV光刻机，7纳米工艺固然也可用DUV光刻机但是却导致性能不够7纳米EUV工艺强，而且良率偏低、成本偏高。
目前EUV光刻机由ASML垄断，而EUV光刻技术则由欧美垄断，当年美国联合多家企业研发成功EUV光刻技术，然后提供给ASML，由ASML生产出EUV光刻机，正是因为这个技术渊源，因此ASML不得不听从美国的要求，不对中国出售EUV光刻机。
目前由于美国的影响，估计较长时间内，ASML都不会对中国出售EUV光刻机，这与DUV光刻机还可以分级，低级别的DUV光刻机可以对中国出售，促使中国组织各方专家，研发自己的EUV光刻机。
中国开辟一条新的EUV光刻技术难度较大，这不仅仅是一两家企业的事情，而是需要中国诸多产业链企业共同努力，如今清华开辟出了一条新的EUV光源技术，这对于中国的EUV光刻机来说已重大的突破，意味着中国研发自己的EUV光刻机已取得突破性进展。
一台EUV光刻机不仅有光源，还有光源控制、工作台、物镜系统等等，只不过光源的技术研发难度最大，毕竟EUV光刻机的光源与此前的DUV光刻机完全不一样，属于一项革新性技术，光源有解决的途径，其他光刻机配件的研发就可以加快，毕竟其他部件部分技术与DUV光刻机相似。
早前就曾传出国产的28纳米光刻机已研发成功，而近期一家国产手机品牌推出由国产芯片制造工艺生产的芯片，证明国产的先进光刻机应该已投入生产，比预期提早了半年时间，这也说明光刻机的产业链已得到完善，这些技术都有助于EUV光刻机加快研发。
今年国内的光刻机技术可谓喷发式发展，突破的消息持续不断，凸显出自从3年多前国内高度重视光刻机研发后，用如此短时间就取得如此巨大的突破，证明了中国芯片技术人才确实足够多，任何困难都挡不住中国芯片前进的脚步。
面对着中国芯片技术的进展，ASML的高管对中国光刻机的言论也是不断变化，之前说即使给中国图纸也生产不出光刻机，到如今已表示只要给予时间中国迟早能生产出先进光刻机，而国产先进芯片工艺的量产印证了他们的预期，ASML也由此迅速转度，表示可以对中国出售更先进的2000i光刻机。
事实说明中国的自主研发技术一旦突破，欧美就会迅速降低限制门槛，这更提醒中国芯片行业需要加强自主研发，只有自主研发的技术才是可靠的。